还原二氧化硅的一种低温方法 来源： 蜘蛛网 时间：2007年11月12日 20:29 将二氧化硅（SiO2）还原成硅（Si）的一种低温方法，有可能为以前仅仅被看作是绝缘氧化物的微型结构找到很多新用途，如硅藻的微型壳和定制的自组装结构等。该方法在650 °C将二氧化硅转换成硅，而要求将硅熔化的方法却需要在2,000 °C左右才能做到。该方法还能保留原始二氧化硅的架构，并在产生的硅中复制这种架构，正如图中所示的14纳米长的这个样本一样。像这样的硅结构有可能用作传感器，以及用在电子、光学和生物医学等领域。 上一篇 下一篇 TAG: 方法 二氧化硅 低温
