锰掺杂砷化镓的扫描隧道显微镜研究

将金属作为“掺杂物”添加进半导体中的做法,被用来调整晶体管和二极管的电子性能。一项新的研究工作,利用在原子精度上取代单个掺杂物的办法来测量它们在纳米尺度上的相互作用。在掺杂锰的砷化镓中铁磁性的发现,激发了人们对基于电子自旋的半导体的兴趣。该研究利用扫描隧道显微镜来观察锰-锰相互作用中所涉及的砷化镓的电子状态。研究人员发现,铁磁相互作用严重依赖于晶体取向,这种性质也许可被用来生长铁磁转变温度超过随机掺杂材料的定向结构。该现象还有可能导致生成用在记忆或信息处理过程中的耦合量子位。




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